董婉 博士 副教授 硕士生导师
通讯地址：北京化工大学昌平校区机电信息楼306
联系方式：dongwan@buct.edu.cn
个人概况：
董婉，女，中共党员，理学博士。博士毕业于大连理工大学，之后分别于大连理工大学和德国波鸿鲁尔大学读博士后。多年从事低气压等离子体物理、等离子体与物质相互作用等机理研究和数值模拟工作。近年来发表学术论文17篇，申请软件著作权4项。主持国家自然科学基金青年项目、国家自然科学基金专项项目、辽宁省自然科学基金联合基金博士科研启动项目、大连理工大学基本科研业务费项目、北京化工大学人才引进项目，累计科研经费80余万元；硕博/博士后期间共参与国家自然科学基金项目3项、国家重点研发计划1项以及企事业合作项目多项。在国内外学术会议做口头报告20余次，其中邀请报告5次。中国物理学会会员，Phys. Plasmas, AIP Advances等国际期刊独立审稿人。与大连理工大学PSEG团队、内蒙古大学刘增研究员团队、德国波鸿鲁尔大学Julian Schulze教授团队保持长期稳定的合作关系。
工作履历：
2023.02-2026.01大连理工大学 博士后/助理研究员 合作导师：梁红伟教授/宋远红教授
2024.04-2026.05德国波鸿鲁尔大学 博士后 合作导师：Julian Schulze教授
2026.07-至今 北京化工大学 副教授
教学工作：
主讲《先进制造技术》
论文与专利：
代表性论文
1.Dong W., Zhang Y. F., Schulze J., Song Y. H.* (2024): Hybrid simulation of instabilities in capacitively coupled RF CF4/Ar plasmas driven by a dual frequency source. In: Plasma Sources Sci. Technol. 33 025020
2. Dong W., Zhang Y. F., Dai Z. L., Schulze J., Song Y. H.*, Wang Y. N. (2022): Hybrid simulation of instabilities in capacitively coupled RF CF4/Ar plasmas. In: Plasma Sources Sci. Technol. 31 025006
3. Dong W., Gao Z. Y., Wang L., Zhang M. J., Tian C. B., Liu Y. X., Song Y. H. *, Schulze J. (2025): Electron dynamics and particle transport in capacitively coupled Ar/O2 discharges driven by sawtooth up voltage waveforms. In: Plasma Sources Sci. Technol. 34 025008
4. Dong W., Song L. Q., Zhang Y. F., Wang L., Song Y. H.*, Shulze J. (2025): Multiscale Simulation of Capacitively Coupled Ar/CHF3 Discharges Driven by Sawtooth-Tailored Voltage Waveforms. In: Plasma Processes and Polymers. 22 e70026.
5. Dong W., Xu H. W., Dai Z. L., Song Y. H.*, Wang Y. N. (2021): Gap length effect on discharge mode and etching profiles in asymmetric dual frequency capacitive CF4/Ar discharges. In: Acta Phys. Sin. 70 095213. (专题邀稿)
6. Song L. Q., Dong W.*, Zhang Y. F. *, Song Y. H. (2025): Investigation of the synergistic effect of ions and neutrals in plasma deposition/etching processes and on surface profiles evolution. In: Acta Phys. Sin. 74(23) 235208 (专题邀稿，编辑推荐)
7. Gao Z. Y., Dong W., Tian C. B., Jiang X. Z., Dai Z. L., Song Y. H.* (2024): Discharge mode and particle transport in radio frequency capacitively coupled Ar/O2 plasma discharges. In: Chinese Phys. B 33 095203.
8. Zhang Y. F., Dong W., Jia W. Z., Song Y. H.* (2024): Hybrid simulation of a capacitive Ar/SiH4 discharge driven by electrically asymmetric voltage waveforms. In: J. Phys. D: Appl. Phys. 57 415205.
9. Zhang Y. F., Dong W., Jia W. Z., Schulze J., Song Y. H.* (2025): Simulation of standing wave effects in large-area capacitively coupled silane mixture discharges using a 2D fluid coupled with a transmission line model. In: Plasma Sources Sci. Technol. 34 065011.
10. Wang Y., Dong W., Zhang Y. F., Song L. Q., Song Y. H.* (2025): Simulation of capacitively coupled Ar/O2 discharges based on global/ equivalent circuit model and an extended reaction set. In: Chinese Phys. B. 34(8) 085201.
软著
1.董婉，张赛谦，宋远红，戴忠玲. 二维刻蚀槽模拟软件, 2021SR1572865. 发明类别：软件著作权，登记日期：2021.10.27.
2. 董婉，张逸凡，宋远红. 容性耦合Ar/CHF3等离子体刻蚀系统模拟软件, 2022SR0204444. 发明类别：软件著作权，登记日期：2022.02.09.
3. 董婉，宋柳琴，宋远红. 容性耦合Ar/C4F8等离子体刻蚀系统模拟软件, 2022SR0204445. 发明类别：软件著作权，登记日期：2022.02.09.
4. 宋柳琴，董婉，宋远红，戴忠玲. 二氧化硅薄膜沉积剖面演化模拟软件, 2022SR0606208. 发明类别：软件著作权，登记日期：2022.05.19.
主持/参与项目情况
1. 国家自然科学基金委员会，青年科学基金项目（C类）[原青年科学基金项目], 12405289,面向高深宽比刻蚀的多尺度模型构建和数值模拟, 2025-01-01至2027-12-31，30万元，在研，主持
2. 北京化工大学，北京化工大学人才引进项目，2026-09至2029-12，30万元, 在研, 主持
3. 国家自然科学基金委员会,专项项目, 12347131,射频容性耦合Ar/CF4/O2混合气体放电不稳定性机理的模拟研究, 2024-01-01至 2024-12-31,14万元（实际资助16.67万元）,结题, 主持
4. 辽宁省自然科学基金联合基金(博士科研启动项目), 2023-BSBA-089, 面向芯片制造的等离子体刻蚀工艺中性基团与离子协同作用多尺度模拟研究，2023-12至 2025-11, 5万元,结题, 主持
5. 大连理工大学基本科研业务费项目，DUT24BS069，2023-12至2025-11, 5万元,结题, 主持
6. 国家留学基金委（创新人才国际合作培养项目），20230606179，hybrid fluid/kinetic simulations of capacitively coupled low temperature radio frequency plasmas, 2024-05至2026-05,结题
7. 中国人民共和国科学技术部，国家重点研发计划，2025YFF0512002，空间站微重力三维复杂等离子体关键科学问题研究（课题二：三维复杂等离子体系统放电特性与其中介观颗粒间的相互作用的研究），2025-12至 2030-11，276.3万元，在研，参与（4/13）
8. 国家自然科学基金委员会,面上项目, 12475202,微重力电负性复杂等离子体放电机理混合模拟研究, 2025-01-01至 2028-12-31, 53万元,在研,参与（2/2）
9.国家自然科学基金委员会,国际(地区)合作与交流项目, 12020101005,非对称射频容性耦合放电电子动力学及加热机理模拟研究和实验验证, 2021-01-01至 2025-12-31, 210万元,结题,参与.
10.国家自然科学基金委员会,面上项目, 11975067,容性耦合等离子体准原子层刻蚀/沉积的多尺度混合模拟研究, 2020-01-01至 2023-12-31, 65万元,结题,参与
招生情况
本人研究兴趣聚焦于芯片制造领域两大核心工艺——等离子体刻蚀与薄膜处理技术，致力于从微观尺度突破器件性能极限。探秘微观世界，刻蚀“中国芯”的未来。在摩尔定律逼近物理边界的当下，等离子体刻蚀与表面处理技术已成为推动集成电路特征尺寸持续微缩的关键引擎。本方向直面国家“卡脖子”战略需求，重点围绕原子级精度的刻蚀/沉积机理、高深宽比结构中的损伤抑制，以及先进节点下新型表面改性工艺展开系统研究。我们既关注射频放电的物理本质，也致力于解决量产线上均匀性与重复性的实际问题。若你立志投身半导体领域的底层技术革新，渴望将电磁学、等离子体物理与材料化学融会贯通，这里将是你学术生涯的理想起点——一个参与定义下一代芯片制造范式的广阔平台。如果你对这些方向满怀好奇，且已准备好迎接挑战，欢迎联系我（dongwan@buct.edu.cn）。期待与你并肩，在半导体工艺前沿不断探索未知、拓展边界。